اخبار

در پاسخ به روند جهانی صرفه جویی در انرژی هوشمند، ارتباطات بی سیم و محصولات دستگاه تلفن همراه قابل حمل باید با راندمان بالا و مصرف انرژی کم طراحی شوند.بنابراین، سلف قدرت مسئول تبدیل ذخیره انرژی و فیلتر اصلاح در ماژول قدرت نقش مهمی در صرفه جویی انرژی ایفا می کند.

در حال حاضر، عملکرد مواد آهنربای فریت به تدریج قادر به پاسخگویی به کوچک سازی و نیازهای جریان بالا نیست.سلف قدرتمحصولاتبه منظور عبور از گلوگاه فنی نسل بعدی محصولات میکرو/با جریان بالا و توسعه ماژول‌های قدرت با فرکانس بالا، کوچک‌سازی شده، چگالی بسته‌بندی بالا و با راندمان بالا، باید به هسته‌های مغناطیسی فلزی با پرتوهای مغناطیسی اشباع بالا رفت. .

در حال حاضر، فناوری سلف‌های فلزی یکپارچه به طور فزاینده‌ای بالغ می‌شود و یکی دیگر از جهت‌گیری‌های توسعه، سلف‌های قدرت فلزی مبتنی بر تراشه‌های لایه‌ای با دمای بالا است.در مقایسه با سلف های یکپارچه، این نوع سلف ها دارای مزایای کوچک سازی آسان، خواص جریان اشباع عالی و هزینه فرآیند پایین هستند.آنها شروع به جلب توجه صنعت کرده اند و در تحقیق و توسعه سرمایه گذاری شده اند.اعتقاد بر این است که در آینده نزدیک، سلف های قدرت فلزی به طور گسترده در محصولات مختلف تلفن همراه مورد استفاده قرار خواهند گرفت تا روند برنامه های کاربردی هوشمند و صرفه جویی در انرژی را برآورده کنند.

اصول فناوری سلف قدرت

اصل عملکرد سلف قدرت مورد استفاده در ماژول قدرت عمدتاً الکتریسیته را به شکل انرژی مغناطیسی در مواد هسته مغناطیسی ذخیره می کند.اشکال زیادی برای کاربرد سلف ها وجود دارد و انواع مواد هسته مغناطیسی و ساختارهای اجزای مورد استفاده در هر سناریو دارای طرح های مربوطه هستند.به طور کلی، آهنربای فریت دارای فاکتور Q با کیفیت بالایی است، اما پرتو مغناطیسی اشباع شده تنها 3000 تا 5000 گاوس است.پرتو مغناطیسی اشباع فلزات مغناطیسی می تواند به بیش از 12000 تا 15000 گاوس برسد که بسیار بیشتر از دو برابر آهنرباهای فریت است.با توجه به تئوری جریان اشباع مغناطیسی، در مقایسه با آهنرباهای فریتی، فلزات هسته مغناطیسی برای کوچک سازی محصول و طراحی جریان بالا مفیدتر خواهند بود.

هنگامی که جریان از ماژول قدرت عبور می کند، سوئیچینگ سریع ترانزیستورها منجر به تغییرات گذرا یا ناگهانی شکل موج جریان اوج بار در سلف قدرت می شود که ویژگی های سلف را پیچیده تر و تنظیم آن دشوار می کند.

سلف از مواد هسته مغناطیسی و سیم پیچ تشکیل شده است.سلف به طور طبیعی با ظرفیت سرگردان موجود بین هر سیم پیچ تشدید می شود و یک مدار تشدید موازی را تشکیل می دهد.بنابراین، فرکانس خود تشدید (SRF) ایجاد می کند.هنگامی که فرکانس بالاتر از این باشد، سلف ظرفیت خازنی را نشان می دهد، بنابراین دیگر نمی تواند عملکرد ذخیره انرژی را داشته باشد.بنابراین، فرکانس عملکرد سلف قدرت باید کمتر از فرکانس خود تشدید باشد تا اثر ذخیره انرژی حاصل شود.

در آینده، ارتباطات سیار به سمت انتقال داده پرسرعت 4G/5G توسعه خواهد یافت.استفاده از سلف در تلفن های هوشمند رده بالا و بازار شروع به رشد قوی کرده است.به طور متوسط، هر تلفن هوشمند به 60-90 سلف نیاز دارد.علاوه بر ماژول‌های دیگر مانند LTE یا تراشه‌های گرافیکی، استفاده از سلف در کل گوشی از اهمیت بیشتری برخوردار است.

در حال حاضر قیمت واحد و سودسلف هادر مقایسه با خازن ها یا مقاومت ها نسبتاً بالا هستند و بسیاری از تولیدکنندگان را برای سرمایه گذاری در تحقیق و تولید جذب می کند.شکل 3 گزارش ارزیابی IEK را در مورد ارزش و بازار جهانی تولید سلف نشان می دهد که نشان دهنده رشد قوی بازار است.شکل 4 تجزیه و تحلیل مقیاس استفاده از سلف را برای دستگاه های تلفن همراه مختلف مانند گوشی های هوشمند، LCD یا NB نشان می دهد.با توجه به فرصت های تجاری بزرگ در بازار سلف، تولید کنندگان جهانی سلف به طور فعال در حال بررسی مشتریان دستگاه های دستی هستند و تمام تلاش خود را برای سرمایه گذاری در تحقیق و توسعه محصولات جدید انجام می دهند.سلف قدرتمحصولاتی برای توسعه دستگاه های تلفن همراه هوشمند کارآمد و کم مصرف.

کاربردهای مشتق از سلف های قدرت عمدتاً در محصولات الکترونیکی خودرو، صنعتی و مصرفی است.انواع و مشخصات سلف های قدرت مربوط به هر موقعیت کاربردی متفاوت است.در حال حاضر، بزرگترین بازار برنامه عمدتا محصولات مصرفی است.